Negative Hall coefficient of ultrathin niobium in Si/Nb/Si trilayers

I Zaytseva 1 O Abal 'Oshev 1 P Dłuzewski 1 W Paszkowicz 1 L.Y. Zhu 2 C.L. Chien 2 M. Konczykowski 3 Marta Z. Cieplak 1
1 Institute of Physics
2 Department of Physics and Astronomy [Baltimore]
3 LSI - Laboratoire des Solides Irradiés
Abstract : Structural and transport properties of thin Nb layers in Si/Nb/Si trilayers with Nb layer thickness d from 1.1 nm to 50 nm have been studied. With decreasing thickness, the structure of the Nb layer changes from polycrystalline to amorphous at d 3.3 nm, while the superconducting temperature T c monotonically decreases. The Hall coefficient varies with d systematically but changes sign into negative in ultrathin films with d < 1.6 nm. The influence of boundary scattering on the relaxation rate of carriers, and band broadening in the amorphous films, may contribute to this effect.
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Physical Review B : Condensed matter and materials physics, American Physical Society, 2014, 90, pp.5. 〈10.1103/PhysRevB.90.060505〉
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Contributeur : Marcin Konczykowski <>
Soumis le : vendredi 12 décembre 2014 - 23:22:25
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I Zaytseva, O Abal 'Oshev, P Dłuzewski, W Paszkowicz, L.Y. Zhu, et al.. Negative Hall coefficient of ultrathin niobium in Si/Nb/Si trilayers. Physical Review B : Condensed matter and materials physics, American Physical Society, 2014, 90, pp.5. 〈10.1103/PhysRevB.90.060505〉. 〈hal-01074691〉

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