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High structural quality InGaN/GaN multiple quantum well solar cells

Ezgi Dogmus 1 Malek Zegaoui Ludovic Largeau 2 Maria Tchernycheva 3 Vladimir Neplokh Saskia Weiszer Fabian Schuster 4 Martin Stutzmann 5 Martin Foldyna 6 F Medjdoub 1 
1 IEMN - Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
2 LPN - Laboratoire de photonique et de nanostructures
3 IEF - Institut d'électronique fondamentale
4 CEA - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives
5 WSI - Walter Schottky Institut
6 LPICM - Laboratoire de physique des interfaces et des couches minces [Palaiseau]
Document type :
Journal articles
Complete list of metadata
https://hal-polytechnique.archives-ouvertes.fr/hal-01230121
Contributor : Martin Foldyna Connect in order to contact the contributor
Submitted on : Tuesday, November 17, 2015 - 6:11:27 PM
Last modification on : Tuesday, November 22, 2022 - 2:26:14 PM

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Collections

CEA | X | CNRS | UNIV-VALENCIENNES | IEMN | X-PICM | X-DEP-PHYS | LPICM | UNIV-PARIS-SACLAY | UNIV-LILLE

Citation

Ezgi Dogmus, Malek Zegaoui, Ludovic Largeau, Maria Tchernycheva, Vladimir Neplokh, et al.. High structural quality InGaN/GaN multiple quantum well solar cells. physica status solidi (c), 2015, ⟨10.1002/pssc.201510137⟩. ⟨hal-01230121⟩

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