High structural quality InGaN/GaN multiple quantum well solar cells

Ezgi Dogmus 1 Malek Zegaoui Ludovic Largeau 2 Maria Tchernycheva 3 Vladimir Neplokh Saskia Weiszer Fabian Schuster 4 Martin Stutzmann 5 Martin Foldyna 6 Farid Medjdoub 1
1 IEMN - Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520
2 LPN - Laboratoire de photonique et de nanostructures
3 IEF - Institut d'électronique fondamentale
4 CEA - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives
5 Walter Schottky Institute
6 LPICM - Laboratoire de physique des interfaces et des couches minces [Palaiseau]
Type de document :
Article dans une revue
physica status solidi (c), Wiley, 2015, 〈10.1002/pssc.201510137〉
Liste complète des métadonnées
https://hal-polytechnique.archives-ouvertes.fr/hal-01230121
Contributeur : Martin Foldyna <>
Soumis le : mardi 17 novembre 2015 - 18:11:27
Dernière modification le : jeudi 10 mai 2018 - 01:58:56

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Citation

Ezgi Dogmus, Malek Zegaoui, Ludovic Largeau, Maria Tchernycheva, Vladimir Neplokh, et al.. High structural quality InGaN/GaN multiple quantum well solar cells. physica status solidi (c), Wiley, 2015, 〈10.1002/pssc.201510137〉. 〈hal-01230121〉

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