High structural quality InGaN/GaN multiple quantum well solar cells

Ezgi Dogmus 1 Malek Zegaoui Ludovic Largeau 2 Maria Tchernycheva 3 Vladimir Neplokh Saskia Weiszer Fabian Schuster 4 Martin Stutzmann 5 Martin Foldyna 6 Farid Medjdoub 1
1 IEMN - Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520
2 LPN - Laboratoire de photonique et de nanostructures
3 IEF - Institut d'électronique fondamentale
4 CEA - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives
5 Walter Schottky Institute
6 LPICM - Laboratoire de physique des interfaces et des couches minces [Palaiseau]
Type de document :
Article dans une revue
physica status solidi (c), Wiley, 2015, 〈10.1002/pssc.201510137〉
Liste complète des métadonnées
https://hal-polytechnique.archives-ouvertes.fr/hal-01230121
Contributeur : Martin Foldyna <>
Soumis le : mardi 17 novembre 2015 - 18:11:27
Dernière modification le : jeudi 18 octobre 2018 - 01:21:23

Lien texte intégral

istex

Identifiants

Collections

X | X-PICM | LPICM | PARISTECH | CEA | UNIV-PARIS-SACLAY | X-DEP-PHYS

Citation

Ezgi Dogmus, Malek Zegaoui, Ludovic Largeau, Maria Tchernycheva, Vladimir Neplokh, et al.. High structural quality InGaN/GaN multiple quantum well solar cells. physica status solidi (c), Wiley, 2015, 〈10.1002/pssc.201510137〉. 〈hal-01230121〉

Exporter

BibTeX TEI DC DCterms EndNote

Partager

Métriques

Consultations de la notice

172

Contact

support.ccsd.cnrs.fr
hal.support@ccsd.cnrs.fr
Logo CCSD