Investigation of Photovoltaic Properties of Single Core–Shell GaN/InGaN Wires

A. Messanvi H. Zhang 1 V. Neplokh F. H. Julien 2 F. Bayle 3 M. Foldyna 4 C. Bougerol 5 E. Gautier 6 A. Babichev C. Durand 7 J. Eymery 8 M. Tchernycheva 9
1 IPR - Institut de Physique de Rennes
2 ECOLAB - Laboratoire Ecologie Fonctionnelle et Environnement - ECOLAB
3 Thales Avionics
4 LPICM - Laboratoire de physique des interfaces et des couches minces [Palaiseau]
5 NPSC - Nanophysique et Semiconducteurs
NEEL - Institut Néel
6 LEMNA - Laboratoire d'économie et de management de Nantes Atlantique
7 Eco&Sols - Ecologie fonctionnelle et biogéochimie des sols et des agro-écosystèmes
8 SP2M - UMR 9002 - Service de Physique des Matériaux et Microstructures
9 IEF - Institut d'électronique fondamentale
Type de document :
Article dans une revue
ACS Applied Materials & Interfaces, Washington, D.C. : American Chemical Society, 2015, 7 (39), pp.21898-21906. 〈10.1021/acsami.5b06473〉
Liste complète des métadonnées
https://hal-polytechnique.archives-ouvertes.fr/hal-01230123
Contributeur : Martin Foldyna <>
Soumis le : mardi 17 novembre 2015 - 18:12:53
Dernière modification le : mercredi 16 mai 2018 - 11:23:25

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Citation

A. Messanvi, H. Zhang, V. Neplokh, F. H. Julien, F. Bayle, et al.. Investigation of Photovoltaic Properties of Single Core–Shell GaN/InGaN Wires. ACS Applied Materials & Interfaces, Washington, D.C. : American Chemical Society, 2015, 7 (39), pp.21898-21906. 〈10.1021/acsami.5b06473〉. 〈hal-01230123〉

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