Investigation of Photovoltaic Properties of Single Core–Shell GaN/InGaN Wires

A. Messanvi (1, 2) , H. Zhang , V. Neplokh , F. H. Julien (1) , F. Bayle (1) , M. Foldyna (3) , C. Bougerol (4) , E. Gautier (5) , A. Babichev , C. Durand (2) , J. Eymery (6, 2) , M. Tchernycheva (1)

1 IEF - Institut d'électronique fondamentale
2 NPSC - Nanophysique et Semiconducteurs
3 LPICM - Laboratoire de physique des interfaces et des couches minces [Palaiseau]
4 NEEL - NPSC - Nanophysique et Semiconducteurs
5 SPINTEC - SPINtronique et TEchnologie des Composants
6 SP2M - UMR 9002 - Service de Physique des Matériaux et Microstructures

Domaines: Physique [physics]; Matière Condensée [cond-mat]; Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

A. Messanvi, H. Zhang, V. Neplokh, F. H. Julien, F. Bayle, et al.. Investigation of Photovoltaic Properties of Single Core–Shell GaN/InGaN Wires. ACS Applied Materials & Interfaces, 2015, 7 (39), pp.21898-21906. ⟨10.1021/acsami.5b06473⟩. ⟨hal-01230123⟩