Low temperature epitaxial growth of SiGe absorber for thin film heterojunction solar cells

R. Cariou 1 J. Tang 2 N. Ramay R. Ruggeri 3 P. Roca I Cabarrocas 1
1 LPICM - Laboratoire de physique des interfaces et des couches minces [Palaiseau]
2 Caritas Institute of Higher Education
3 IMM - Institute for Microelectronics and Microsystems/ Istituto per la Microelettronica e Microsistemi
Type de document :
Article dans une revue
Solar Energy Materials and Solar Cells, Elsevier, 2015, 134, 〈10.1016/j.solmat.2014.11.018〉
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https://hal-polytechnique.archives-ouvertes.fr/hal-01230699
Contributeur : Pere Roca I Cabarrocas <>
Soumis le : mercredi 18 novembre 2015 - 19:43:16
Dernière modification le : mercredi 25 avril 2018 - 10:45:07

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R. Cariou, J. Tang, N. Ramay, R. Ruggeri, P. Roca I Cabarrocas. Low temperature epitaxial growth of SiGe absorber for thin film heterojunction solar cells. Solar Energy Materials and Solar Cells, Elsevier, 2015, 134, 〈10.1016/j.solmat.2014.11.018〉. 〈hal-01230699〉

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