Etching of a-Si:H thin films by hydrogen plasma: A view from in situ spectroscopic ellipsometry

Aomar Hadjadj 1 Fadila Larbi Mickaël Gilliot 2 Pere Roca I Cabarrocas 3
1 CORIA - Complexe de recherche interprofessionnel en aérothermochimie
2 APC - UMR 7164 - AstroParticule et Cosmologie
3 LPICM - Laboratoire de physique des interfaces et des couches minces [Palaiseau]
Type de document :
Article dans une revue
Journal of Chemical Physics, American Institute of Physics, 2014, 141 (8), 〈10.1063/1.4893558〉
Liste complète des métadonnées
https://hal-polytechnique.archives-ouvertes.fr/hal-01230706
Contributeur : Pere Roca I Cabarrocas <>
Soumis le : mercredi 18 novembre 2015 - 19:49:39
Dernière modification le : jeudi 7 février 2019 - 14:52:44

Identifiants

Collections

X | APC | UNIV-PARIS7 | OBSPM | X-PICM | LPICM | CORIA | IN2P3 | PARISTECH | COMUE-NORMANDIE | CEA | PSL | USPC | IRFU-APC | DSM-IRFU | INSA-ROUEN | CEA-DRF | UNIROUEN | X-DEP-PHYS

Citation

Aomar Hadjadj, Fadila Larbi, Mickaël Gilliot, Pere Roca I Cabarrocas. Etching of a-Si:H thin films by hydrogen plasma: A view from in situ spectroscopic ellipsometry. Journal of Chemical Physics, American Institute of Physics, 2014, 141 (8), 〈10.1063/1.4893558〉. 〈hal-01230706〉

Exporter

BibTeX TEI DC DCterms EndNote

Partager

Métriques

Consultations de la notice

262

Contact

support.ccsd.cnrs.fr
hal.support@ccsd.cnrs.fr
Logo CCSD