Excellent Surface Passivation and Light Absorption in Crystalline Si via Low-Temperature Si Nanowire Growth - École polytechnique Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEEE Journal of Photovoltaics Année : 2016

Excellent Surface Passivation and Light Absorption in Crystalline Si via Low-Temperature Si Nanowire Growth

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01401070 , version 1 (22-11-2016)

Identifiants

Citer

Wanghua Chen, Martin Foldyna, Gilles Poulain, Pere Roca I Cabarrocas. Excellent Surface Passivation and Light Absorption in Crystalline Si via Low-Temperature Si Nanowire Growth. IEEE Journal of Photovoltaics, 2016, 6 (4), pp.823 - 829. ⟨10.1109/JPHOTOV.2016.2547585⟩. ⟨hal-01401070⟩
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