Excellent Surface Passivation and Light Absorption in Crystalline Si via Low-Temperature Si Nanowire Growth

Wanghua Chen 1 Martin Foldyna 1 Gilles Poulain 2 Pere Roca I Cabarrocas 1
1 LPICM - Laboratoire de physique des interfaces et des couches minces [Palaiseau]
2 Total
TOTAL S.A.
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Article dans une revue
IEEE JOURNAL OF PHOTOVOLTAICS, 2016, 6 (4), pp.823 - 829. 〈10.1109/JPHOTOV.2016.2547585〉
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https://hal-polytechnique.archives-ouvertes.fr/hal-01401070
Contributeur : Martin Foldyna <>
Soumis le : mardi 22 novembre 2016 - 19:38:51
Dernière modification le : jeudi 10 mai 2018 - 01:58:21

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X | LPICM | PARISTECH | X-PICM | UNIV-PARIS-SACLAY | X-DEP-PHYS

Citation

Wanghua Chen, Martin Foldyna, Gilles Poulain, Pere Roca I Cabarrocas. Excellent Surface Passivation and Light Absorption in Crystalline Si via Low-Temperature Si Nanowire Growth. IEEE JOURNAL OF PHOTOVOLTAICS, 2016, 6 (4), pp.823 - 829. 〈10.1109/JPHOTOV.2016.2547585〉. 〈hal-01401070〉

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