Excellent Surface Passivation and Light Absorption in Crystalline Si via Low-Temperature Si Nanowire Growth

Wanghua Chen; Martin Foldyna; Gilles Poulain; Pere Roca I Cabarrocas

doi:10.1109/JPHOTOV.2016.2547585

Excellent Surface Passivation and Light Absorption in Crystalline Si via Low-Temperature Si Nanowire Growth

Wanghua Chen ¹ Martin Foldyna ¹ Gilles Poulain ² Pere Roca I Cabarrocas ¹

1 LPICM - Laboratoire de physique des interfaces et des couches minces [Palaiseau]

2 Total

TOTAL S.A.

Type de document :

Article dans une revue

IEEE JOURNAL OF PHOTOVOLTAICS, 2016, 6 (4), pp.823 - 829. 〈10.1109/JPHOTOV.2016.2547585〉

Domaine :

Physique [physics] / Matière Condensée [cond-mat]

Liste complète des métadonnées

https://hal-polytechnique.archives-ouvertes.fr/hal-01401070
Contributeur : Martin Foldyna <>
Soumis le : mardi 22 novembre 2016 - 19:38:51
Dernière modification le : jeudi 7 février 2019 - 16:02:46

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