Electron beam induced current microscopy investigation of GaN nanowire arrays grown on Si substrates

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Materials Science in Semiconductor Processing, Elsevier, 2016, 55, pp.72 - 78. 〈10.1016/j.mssp.2016.03.002〉
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Contributeur : Martin Foldyna <>
Soumis le : mardi 22 novembre 2016 - 19:51:37
Dernière modification le : jeudi 10 mai 2018 - 01:58:15

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Vladimir Neplokh, Ahmed Ali, François H. Julien, Martin Foldyna, Ivan Mukhin, et al.. Electron beam induced current microscopy investigation of GaN nanowire arrays grown on Si substrates. Materials Science in Semiconductor Processing, Elsevier, 2016, 55, pp.72 - 78. 〈10.1016/j.mssp.2016.03.002〉. 〈hal-01401078〉

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