Comprehensive analyses of core–shell InGaN/GaN single nanowire photodiodes

H. Zhang 1 N Guan 1 V Piazza 1 A Kapoor 2 C. Bougerol 3 J Julien 1 A V Babichev 1, 4 C Cavassilas 5 M. Bescond 5 M Michelini 5 M. Foldyna 6 E. Gautier 7 Christophe Durand 2 J. Eymery 8 M. Tchernycheva 1
1 C2N - Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies [Orsay]
2 NPSC - Nanophysique et Semiconducteurs
PHELIQS - PHotonique, ELectronique et Ingénierie QuantiqueS : DRF/INAC/PHELIQS
3 NPSC - Nanophysique et Semiconducteurs
NEEL - Institut Néel
4 ITMO - National Research University of Information Technologies, Mechanics and Optics [St. Petersburg]
5 IM2NP - Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence
6 LPICM - Laboratoire de physique des interfaces et des couches minces [Palaiseau]
7 SPINTEC - UMR 8191 - SPINtronique et technologie des composants
8 NRS - Nanostructures et Rayonnement Synchrotron
MEM - Modélisation et Exploration des Matériaux : DRF/INAC/MEM
Type de document :
Article dans une revue
Journal of Physics D: Applied Physics, IOP Publishing, 2017, 50 (48), pp.484001. 〈10.1088/1361-6463/aa935d〉
Liste complète des métadonnées
https://hal-polytechnique.archives-ouvertes.fr/hal-01640099
Contributeur : Martin Foldyna <>
Soumis le : lundi 20 novembre 2017 - 16:50:20
Dernière modification le : jeudi 10 mai 2018 - 02:00:26

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Citation

H. Zhang, N Guan, V Piazza, A Kapoor, C. Bougerol, et al.. Comprehensive analyses of core–shell InGaN/GaN single nanowire photodiodes. Journal of Physics D: Applied Physics, IOP Publishing, 2017, 50 (48), pp.484001. 〈10.1088/1361-6463/aa935d〉. 〈hal-01640099〉

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