Comprehensive analyses of core–shell InGaN/GaN single nanowire photodiodes

H. Zhang (1) , N Guan (1) , V Piazza (1) , A Kapoor (2) , C. Bougerol (3) , J Julien (1) , a V Babichev (1, 4) , C Cavassilas (5) , M. Bescond (5) , M Michelini (5) , M. Foldyna (6) , E. Gautier (7) , Christophe Durand (2) , J. Eymery (8) , M. Tchernycheva (1)

1 C2N - Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies [Orsay]
2 NPSC - Nanophysique et Semiconducteurs
3 NEEL - NPSC - Nanophysique et Semiconducteurs
4 ITMO - National Research University of Information Technologies, Mechanics and Optics [St. Petersburg]
5 IM2NP - Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence
6 LPICM - Laboratoire de physique des interfaces et des couches minces [Palaiseau]
7 SPINTEC - SPINtronique et TEchnologie des Composants
8 NRS - Nanostructures et Rayonnement Synchrotron

Domaines: Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

H. Zhang, N Guan, V Piazza, A Kapoor, C. Bougerol, et al.. Comprehensive analyses of core–shell InGaN/GaN single nanowire photodiodes. Journal of Physics D: Applied Physics, 2017, 50 (48), pp.484001. ⟨10.1088/1361-6463/aa935d⟩. ⟨hal-01640099⟩